品牌型号：三星内存条DDR2&&DDR3
ddr2和ddr3的区别：
1、针脚不同。DDR2 184针，DDR3 240针。针脚就限制用在不同主板上，当然同时支持这两种的也有，但少。
2、电压不同。DDR3的工作电压比DDR2更低，通常为1.5V，而DDR2的工作电压通常为1.8V。较低的工作电压意味着DDR3的功耗更低，有助于降低系统的能耗。
3、频率不同。DDR3频率高，延迟长。一般情况DDR3性能强于DDR2。
4、价格不同。DDR3的更便宜。
5、逻辑Bank数量不同。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
6、封装不同。由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
7、突发长度不同。由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
8、寻址时序不同。就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。—写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
9、速度和带宽不同。DDR3相对于DDR2有更高的速度和更大的带宽。DDR2的速度通常在400MHz至1066MHz范围内，而DDR3的速度范围从800MHz起，最高可达3200MHz。这意味着DDR3能够提供更快的数据传输速度和更大的数据吞吐量。
10、密集度和容量不同。DDR3内存模块比DDR2内存模块的密度更高，可以提供更大的容量选项。DDR2内存通常的最大容量为4GB，而DDR3内存可以提供高达128GB甚至更大的容量选项。
11、延迟和时序不同。DDR3具有更低的延迟和更优化的时序设置，可以提供更快的响应时间和更高的性能。这使得DDR3在处理大量数据和执行复杂任务时更具优势。
