Qualcomm Snapdragon 439是一款用于中端智能手机市场的处理器芯片。它是由高通公司（Qualcomm）研发的，基于12nm FinFET工艺技术制造，具有高性能和低功耗的特点。
Snapdragon 439采用了8个Kryo 260 CPU核心，其中包括四个高性能大核和四个效率小核。这些核心的时钟频率高达2.0GHz，比之前的Snapdragon芯片提高了15%。此外，它还配备了Adreno 505 GPU，支持高速LTE-TDD和Wi-Fi功能，以及高通Quick Charge 3.0技术。
此外，Snapdragon 439还具有一些高级特性，如更好的摄像头性能、更快的存储速度和更好的电池续航能力。它支持多种摄像头技术，包括HDR+和4K视频录制，并支持更快的内存和存储接口，如UFS 2.1。
总的来说，Snapdragon 439是一款非常出色的处理器芯片，它有望为中端智能手机市场带来更好的性能和用户体验。不过，具体性能表现还取决于手机厂商的调校和系统优化。
| CPU 速度 | 4 x 2 GHz & 4 x 1.45 GHzvs12.03 GHz |
| 半导体尺寸 | 12 nmvs17.94 nm |
| CPU线程 | 8 threadsvs6.3 threads |
| 同时执行位元 | 128vs108.86 |
| OpenGL ES版本 | 3.2vs2.98 |
| OpenCL（开放计算语言）版本 | 2vs1.62 |
| 散热设计功率 | 5Wvs6.74W |
| 支持64-位元 | 12 nm |
| GPU时脉速度 | 450 MHz |
| 有 5G 支持 | 450 MHz |
| DirectX版本 | DirectX 11 |
| OpenGL ES版本 | 3.2 |
| OpenCL（开放计算语言）版本 | 2 |
| CPU 速度 | 4 x 2 GHz & 4 x 1.45 GHz |
| CPU线程 | 8 threads |
| 使用big.LITTLE技术 | 1.45GHz |
| 二级缓存 | 未知 |
| 一级缓存 | 未知 |
| 时脉倍频器 | 未知 |
| 三级缓存 | 未知 |
| RAM（随机存取存储器）速度 | 未知 |
| DDR 存储版本 | 3 |
| 最大内存尺寸 | 4GB |
| 最大内存频宽 | 未知 |
| 内存通道 | 2 |
| eMMC版本 | 5.1 |
| 支持纠错码存储器 | 150 MBits/s |
| 上传速度 | 75 MBits/s |
| 采用 TrustZone 技术 | 128 (英国(ARM) Cortex-A53) |
| VFP版本 | 4 (英国(ARM) Cortex-A53) |
| 前端宽度 | 未知 |
| Geekbench 5 结果（单核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（多核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（单核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（多核心） | 未知 |
| PassMark测试结果 | 未知 |
| PassMark单核测试结果 | 未知 |
| PassMark超频测试结果 | 未知 |
| DirectX版本 | 11.2 |
| 蓝牙版本 | 5 |
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