Qualcomm Snapdragon 835是一款高端智能手机芯片，由高通公司研发。它采用了10纳米工艺的八核心设计，主频为2.4GHz。它拥有强大的图形处理性能和出色的AI运算性能，能够提供流畅的游戏体验和快速的相机响应速度。此外，Snapdragon 835还支持高速LTE和Wi-Fi连接，能够提供更快的数据传输和更稳定的网络连接。此外，该芯片还具备低功耗特性，可以延长智能手机的电池续航时间。
总之，Qualcomm Snapdragon 835是一款性能强劲、功能全面的高端智能手机芯片，能够为智能手机提供出色的性能和连接性能。
| CPU 速度 | 4 x 2.45 GHz & 4 x 1.9 GHzvs12.03 GHz |
| RAM（随机存取存储器）速度 | 1866 MHzvs1725.2 MHz |
| 半导体尺寸 | 10 nmvs17.94 nm |
| GPU时脉速度 | 710 MHzvs658.59 MHz |
| CPU线程 | 8 threadsvs6.3 threads |
| 最大内存频宽 | 29.8 GB/svs20.06 GB/s |
| 同时执行位元 | 128vs108.86 |
| OpenGL ES版本 | 3.2vs2.98 |
| 支持64-位元 | 10 nm |
| GPU时脉速度 | 710 MHz |
| 有 5G 支持 | 710 MHz |
| DirectX版本 | DirectX 12 |
| OpenGL ES版本 | 3.2 |
| OpenCL（开放计算语言）版本 | 2 |
| CPU 速度 | 4 x 2.45 GHz & 4 x 1.9 GHz |
| CPU线程 | 8 threads |
| 使用big.LITTLE技术 | 未知 |
| 二级缓存 | 2 MB |
| 一级缓存 | 128 KB |
| 时脉倍频器 | 未知 |
| 三级缓存 | 未知 |
| RAM（随机存取存储器）速度 | 1866 MHz |
| DDR 存储版本 | 4 |
| 最大内存尺寸 | 8GB |
| 最大内存频宽 | 29.8 GB/s |
| 内存通道 | 2 |
| eMMC版本 | 5 |
| 支持纠错码存储器 | 1024 MBits/s |
| 上传速度 | 150 MBits/s |
| 采用 TrustZone 技术 | 128 (高通(Qualcomm) Kryo) |
| VFP版本 | 4 (高通(Qualcomm) Kryo) |
| 前端宽度 | 3 (高通(Qualcomm) Kryo) |
| Geekbench 5 结果（单核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（多核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（单核心） | 372 |
| Geekbench 5 结果（多核心） | 1461 |
| PassMark测试结果 | 未知 |
| PassMark单核测试结果 | 未知 |
| PassMark超频测试结果 | 未知 |
| DirectX版本 | 12 |
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