Qualcomm Snapdragon 8 Plus Gen 1是一款中高端的5G芯片,采用4nm工艺制程,CPU采用1+3+4架构,性能较骁龙8 Gen 1提升10%。它包括一个Cortex-X3超大核,频率可能达到3.19GHz,GPU是Adreno 730,频率可能提升至900MHz。它支持LPDDR5X运行内存和UFS 4.0闪存。
此外,它可能采用与骁龙8机型相同的影像系统,包括一个50MP或者64MP的超广角,和一个32MP的镜头可能作为望远镜镜头。这款芯片可能将集成Snapdragon Elite Gaming全部特性,并且有望搭载超声波屏幕指纹识别技术。在续航方面,该芯片的能效控制也很出色,能够带来更久的电池续航时间以及更省电。
不过请注意,这些信息仅供参考,实际性能可能会根据硬件配置、软件更新和其他因素而变化。如需获取最新的产品信息,请参考Qualcomm公司的官方文档和声明。
CPU 速度 | 1 x 3.2 GHz & 3 x 2.75 GHz & 4 x 2 GHzvs12.01 GHz |
RAM(随机存取存储器)速度 | 3200 MHzvs1714.4 MHz |
半导体尺寸 | 4 nmvs17.99 nm |
下载速度 | 10000 MBits/svs1586.9 MBits/s |
GPU时脉速度 | 900 MHzvs651.53 MHz |
CPU线程 | 8 threadsvs6.29 threads |
最大内存频宽 | 51.2 GB/svs19.92 GB/s |
最大内存尺寸 | 16GBvs9.73GB |
支持64-位元 | 4 nm |
GPU时脉速度 | 900 MHz |
有 5G 支持 | 未知 |
DirectX版本 | DirectX 12 |
OpenGL ES版本 | 3.2 |
OpenCL(开放计算语言)版本 | 2 |
CPU 速度 | 1 x 3.2 GHz & 3 x 2.75 GHz & 4 x 2 GHz |
CPU线程 | 8 threads |
使用big.LITTLE技术 | 未知 |
二级缓存 | 2 MB |
一级缓存 | 未知 |
时脉倍频器 | 未知 |
三级缓存 | 6 MB |
RAM(随机存取存储器)速度 | 3200 MHz |
DDR 存储版本 | 5 |
最大内存尺寸 | 16GB |
最大内存频宽 | 51.2 GB/s |
内存通道 | 未知 |
eMMC版本 | 5.1 |
支持纠错码存储器 | 10000 MBits/s |
上传速度 | 3000 MBits/s |
采用 TrustZone 技术 | 未知 |
VFP版本 | 未知 |
前端宽度 | 未知 |
Geekbench 5 结果(单核心) | 1320 |
Geekbench 5 结果(多核心) | 4200 |
PassMark测试结果 | 未知 |
PassMark单核测试结果 | 未知 |
PassMark超频测试结果 | 未知 |
DirectX版本 | 12 |
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